业内：光刻技术走下“神坛” High-NA EUV面临滞销。光刻技术在半导体制造中一直被视为关键环节，但近期多位行业专家和高管表示，未来光刻可能不再是唯一选择。英特尔的一位高管甚至声称“光刻将不再那么重要”，这一言论引起了业界的广泛争议。

High-NA EUV光刻机曾一度备受关注。ASML组装了两个TWINSCAN EXE:5000高数值孔径光刻系统，其中一个由ASM与imec合作开发，预计2025年投入量产。另一个由英特尔订购，已于2023年底交付。此外，台积电和三星也计划引入该设备，用于未来的芯片生产。

然而，在实际应用中，芯片巨头们对High-NA EUV的态度变得谨慎。英特尔虽然已在其工厂投入两台尖端光刻机并开始生产，但其主要目标是开发Intel 18A（1.8nm）制造技术。台积电则表示，尽管对High-NA EUV能力印象深刻，但考虑到设备价格高昂，目前的标准型EUV光刻机仍能满足其到2026年的需求。台积电计划在A16（1.6nm级）和A14（1.4nm级）工艺技术中继续使用标准型EUV光刻机。

三星同样推迟了High-NA EUV的使用计划。三星及其竞争对手SK海力士决定推迟在DRAM生产中引入High-NA EUV技术的时间，原因是工具成本过高且DRAM架构即将发生变化。三星计划在2027年将High-NA EUV技术引入1.4nm工艺的逻辑芯片生产中。

随着先进制程的发展，刻蚀技术逐渐成为新的焦点。一位匿名的英特尔总监认为，未来晶体管设计将降低对先进光刻设备的依赖，转而提升刻蚀技术的核心地位。他指出，随着GAAFET和CFET等新型结构的发展，高端芯片制造对光刻环节的需求将会减弱。这些三维晶体管结构要求从各个方向包裹栅极，使得横向去除多余材料成为关键步骤。

尽管如此，光刻机在未来一段时间内仍将是不可或缺的。ASML的EUV光刻技术重塑了芯片制造业，并且很可能在未来至少10到20年内保持关键地位。然而，ASML也面临着来自新型光刻技术的挑战。例如，基于直线电子加速器的自由电子激光技术的EUV光源（EUV-FEL）系统，以及纳米压印光刻、电子束光刻机等新型技术正在不断发展。这些新技术具有更高的分辨率和更低的成本，可能会在未来对ASML的市场地位构成威胁。

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